5月14日消息，据日经新闻，三星电子将在横滨新建一个开发设施，这是一项极具象征意义的举措，有望促进日本和韩国芯片行业之间的合作。

据称，这套新的芯片开发设施将耗资超过300亿日元（当前约2.22亿美元，约合15.45亿元人民币），建在东京西南部的横滨，这里目前也是三星日本研究所的所在地。这套设施将专注于“后端”生产，也就是将晶圆封装成最终产品。

实际上，今年3月就有消息称三星合并了位于横滨和大阪的两家研发机构，并将在日本创建名为DSRJ的综合研发中心，而这所新的研发中心便位于三星横滨研究所内。

当时，三星表示合并两家研发中心的主要原因是韩国和日本之间关系的缓和，希望在日本建立一个全新的半导体和显示器研发中心。

此外，三星还希望以“Samsung Research Japan”的名义在日本为设备体验部门Device eXperience设立新的综合研究中心。外媒认为，三星正在试图通过重组在设备解决方案相关的研发机构来增强综合开发能力。

据ThePulse，三星将在6月11至16日于日本举行的国际超大型集成电路技术研讨会上，以初步简报的形势介绍其目前的芯片技术状况，并发布其第二代3nm制程技术SF3（3GAP）。根据官方预告，名为SF3（3GAP）的三星第二代3nm制程技术，将使用第二代MBCFET架构，在第一代3nmGAA(SF3E)基础上做进一步的优化。性能将比目前的4nm制程（SF4）快22%，能效可提高34%，芯片尺寸也将缩减21%。此举可能会刺激两国芯片行业之间的更多合作。（文章来源：IT之家）