4月20日消息，SK海力士官网宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品。该公司表示，目前正在向客户提供样品，并进行性能评估。

SK海力士表示：“继去年6月率先量产业界首款HBM3之后，公司又成功开发出了内存容量比前一代产品增加50%的24GB封装产品。我们将在下半年向市场供应新产品，以满足由AI聊天机器人行业带动的高端内存产品的需求。”

SK海力士的工程师通过应用先进的批量回流模压填充（MR-MUF）技术，提高了新产品的工艺效率和性能稳定性，同时通过硅通孔（TSV） 技术，将单个DRAM芯片的厚度降低了40%，达到了与16GB产品相同的堆叠高度水平。

HBM是SK海力士在2013年首次开发出来的一种内存，由于它在实现运行在高性能计算（HPC）系统中的生成型 AI 中起着至关重要的作用，因此受到了内存芯片行业的广泛关注。最新的 HBM3 标准尤其被认为是快速处理大量数据的理想产品，因此其被全球主要科技公司采用的情况越来越多。

SK海力士已经向多个对最新产品表达了极大期待的客户提供了24GB HBM3产品的样品，同时该产品的性能评估也在进行中。

“SK 海力士之所以能够不断开发出一系列超高速和高容量的HBM产品，是因为它在后端工艺中运用了领先的技术，”SK海力士封装测试部门负责人洪相厚说，“公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备工作，以进一步巩固其在AI时代尖端DRAM市场中的领导地位。”

HBM（High Bandwidth Memory）是一种高价值、高性能的内存，通过垂直连接多个DRAM芯片，与传统的DRAM产品相比，大幅提高了数据处理速度。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）的顺序开发。现有HBM3 DRAM的最大容量是垂直堆叠8个单品DRAM芯片的16GB。（文章来源：IT之家）