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项目丨博康嘉兴半导体氮化镓射频功率芯片先导线开工

作者:admin 发布日期:2023-03-08  浏览次数:0

3月6日,博康(嘉兴)半导体氮化镓射频功率芯片先导线项目开工仪式在嘉兴经开区城南街道工业园区隆重举行。项目瞄准第三代半导体新材料领域,将为卡脖子难题提供更多解决方案。

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据了解,此次开工的博康(嘉兴)半导体科技有限公司氮化镓射频功率芯片先导线项目占地面积46667平方米,总投资额约6亿元人民币。其中一期用地约33200平方米。

“‘芯片’作为‘现代工业的粮食’,已经成为生产、生活离不开的必需品。博康公司将以氮化镓为代表的‘三代半导体’技术作为芯片领域突破国外对中国高端射频芯片的封锁和遏制,保障国家高端芯片供应安全的需求。”博康半导体董事长张博对嘉兴经开区及落户街道长期以来的关心和支持表示感谢,并鼓励团队加强创新、全面突破。
资料显示,博康(嘉兴)半导体科技有限公司(简称“博康半导体”)成立于2022年,公司立志成为国内领先的化合物半导体制造服务商,覆盖电信基础设施、射频能源及各类通用市场的应用,为5G移动通讯基站、宽频带通信等射频领域提供高能效的半导体产品及解决方案。
博康半导体一期主营4英寸氮化镓(GaN)射频芯片、功放管,形成从GaN管芯到GaN氮化镓功放管的系列化产品平台,满足客户多元化的应用场景需求。二期将拓展到6英寸砷化镓(GaAs)射频芯片产品。(文章来源:嘉兴城南)