近日，中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。

据介绍，氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性，因此，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。

中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。

据悉，中国电科46所位于天津市河西区，是我国最早从事半导体材料和光纤研究开发与生产的单位之一，自成立以来，致力于为我国电子信息提供高性能、高可靠的各类电子功能材料。

中国电科46所拥有硅单晶抛光片、半绝缘砷化镓抛光片、偏振保持光纤国军标生产线，具备规模化生产能力；业务覆盖半导体材料、新型电子功能材料、特种光纤与器件、功能基板及陶瓷材料、电子专用材料理化分析及监督检测、电子工业仪表及电子专用设备六大板块，各类产品广泛应用于光电探测、空间工程、网络通讯、新一代武器装备和电子信息系统等领域，为我国电子信息发展提供了高性能、高可靠性的支撑材料。

据不完全统计，目前我国从事氧化镓相关业务的企业不在少数，包括北京镓族科技、杭州富加镓业、北京铭镓半导体、深圳进化半导体等。此外，除中电科46所，上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京大学等各大科研高校也在从事相关研究，多家企业也取得了不错的成果，其中包括：

1、北京铭镓半导体于2022年12月完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司；

2、新湖中宝投资的杭州富加镓业初步建立了氧化镓单晶材料设计、热场模拟仿真、单晶生长、晶圆加工等全链路研发能力，推出2寸及以下规格的氧化镓UID（非故意掺杂）、导电型及绝缘型产品；

3、浙大杭州科创中心于2022年5月成功制备直径2英寸（50.8mm）的氧化镓晶圆，而使用这种具有完全自主知识产权技术生长的2英寸氧化镓晶圆在国际尚属首次；

4、中国科大国家示范性微电子学院教授龙世兵课题组于2023年初首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。

尽管氧化镓发展尚处于初期阶但其前景依然备受期待。有数据显示，到2030年，氧化镓功率半导体市场规模将达15亿美元。对于国内半导体产业而言，也必将是下一个值得发力的市场之一。（文章来源：中国电科等）