6月8日，韩国存储芯片大厂SK海力士宣布，其最新的238层堆叠的NAND Flash芯片在2022年8月开发完成后，目前已经开始量产，并且产品兼容性正在与一家全球智能手机制造商进行测试当中。

据介绍，SK海力士238层堆叠技术NAND Flash芯片，与上一代176层堆叠NAND Flash芯片相比，最高传输速率提升了50%达2.4Gb/s，使得整体的平均读写速度提升了约20%，同时制造效率也提高了34%，使得成本竞争力显著提升。

SK海力士表示，最新的238层堆叠的NAND Flash芯片较上一代176层堆叠的产品在价格、性能和质量方面都有世界级的竞争力。SK海力士预计，这些产品将在下半年推动公司获利的成长。

SK海力士表示，采用238层堆叠技术的NAND Flash芯片已于5月投入量产，正在与一家全球智能手机制造商进行测试当中。一旦完成与全球智能手机制造商的产品兼容性测试，将开始为智能手机供应238层堆叠的NAND Flash芯片产品，并将该技术扩展到其产品组合，例如PCIe 5.0 SSD和大容量服务器SSD中。

SK海力士S238 NAND Flash负责人Jumsoo Kim表示，我们将继续克服NAND Flash技术限制，并提高竞争力，以便在即将到来的市场反弹中，达成比其他任何人都更大的转变。

值得注意的是，早在去年7月底，美光已率先宣布量产232层堆叠的NAND Flash闪存芯片。去年12月，美光宣布基于其232层堆叠的NAND Flash闪存芯片的SSD模组——美光2550 NVMe SSD已正式向全球PC OEM客户出货，这也是全球首款采用200层堆叠以上NAND Flash的客户端SSD，主要应用于主流笔记本电脑和桌面PC。

虽然国产存储厂商去年推出了232层的NAND Flash，但是由于美国对华半导体新规的限制，使得其生产受到了不小的影响。（文章来源：芯智讯）